Tower 半导体发布其最先进第二代 65nm BCD 电源管理平台

5 月 9 日,Tower 半导体宣布扩展其电源管理平台,发布其最先进的第二代 65nm BCD,该公司还在其 180nm BCD 平台上添加了深沟槽隔离,可将电压高达 125V 的芯片尺寸降低 40%。Tower 的 65 纳米 BCD 平台以其在功率性能、成本和集成竞争力方面的领先优势而被称为一流的 sub-90 纳米 BCD 技术。